CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE FILMES SEMICONDUTORES DE CO3O4 DEPOSITADOS POR SPUTTERING REATIVO

Abstract

O óxido de cobalto (Co3O4) se destaca como um material promissor para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de baixo custo, alta estabilidade e eficiência energética, tais como células solares e transistores de filme fino. Neste trabalho, investigamos as propriedades estruturais, ópticas, elétricas e fotocondutivas de uma amostra de Co3O4 preparada pelo método de deposição magnetron sputtering reativo. O estudo se concentrou principalmente nas características elétricas e na resposta fotocondutiva do material, com o objetivo de contribuir para o desenvolvimento de novos dispositivos optoeletrônicos com potencial para diversas aplicações tecnológicas.