DEPOSIÇÃO DE FILME FINO DE CARBETO DE SILÍCIO NUMA CÂMARA MPECVD POR PLASMA DE MICROONDAS

Resumo

Neste experimento foram realizadas deposições com plasma de microondas de filmes finos de Carbeto de Silício, SiC, sobre uma lâmina de Silício (100) apoiada sobre o cátodo no interior de uma câmara MPECVD de vácuo. Um jato de plasma de microondas foi gerado dentro de uma tocha MPT a partir da mistura de duas preformas para obtenção de átomos de Silício e de Carbono que foram ionizados e depois conduzidos para dentro câmara MPECVD num ambiente de vácuo para obter a deposição de filme fino. Foi obtido uma deposição de filme fino de Carbeto de Silício SiC na parte central da lâmina de silício que apresentou uma tonalidade levemente esverdeada como abrasivos de Carborundum. O filme fino de Carbeto de Silício foi submetido a uma análise de espectroscopia Raman, como também o filme foi visualizado com uma microscopia eletrônica de varreduara MEV.